Пятница, 29.11.2024, 11:46
Приветствую Вас Гость | RSS
[ Новые сообщения · Участники · Правила форума · Поиск · RSS ]
  • Страница 1 из 1
  • 1
Оперативка
sputnikkeyДата: Понедельник, 18.11.2013, 17:11 | Сообщение # 1
Admin
Группа: Администраторы
Сообщений: 2914
Статус: Оффлайн
Всё об оперативной памяти
 
sidiwankinДата: Четверг, 04.09.2014, 12:06 | Сообщение # 2
Генералиссимус
Группа: Проверенные
Сообщений: 7868
Статус: Оффлайн
Компания Mushkin представила модули и комплекты оперативной памяти DDR4 Essentials UDIMM, рассчитанные на установку в компьютеры на новой аппаратной платформе Intel Haswell-E.



Модули памяти Mushkin Essentials DDR4 имеют ёмкость 4 и 8 Гбайт

Изделия DDR4 Essentials UDIMM функционируют при напряжении питания 1,2 В, что на 20 % меньше по сравнению с соответствующим значением широко распространённой памяти DDR3. Рабочая частота новых модулей Mushkin равна 2133 МГц.

Покупателям будут предлагаться модули ёмкостью 4 и 8 Гбайт, а также комплекты суммарным объёмом 8 (2 × 4 Гбайт), 16 (4 × 4 Гбайт или 2 × 8 Гбайт) и 32 (4 × 8 Гбайт) Гбайт. Тайминги во всех случаях составляют 15-15-15-35.

Модули памяти предназначены для использования в связке с материнской платой на наборе логики Intel X99 Express и одним из трёх доступных процессоров поколения Haswell-E с разблокированным множителем — Core i7-5960X, Core i7-5930K или Core i7-5820K.

Поставки изделий DDR4 Essentials UDIMM ограниченными партиями будут организованы в середине сентября. Массовое производство намечено на четвёртый квартал; информации о цене пока нет. Модули будут обеспечиваться пожизненной гарантией.
 
Fedor77Дата: Четверг, 05.03.2015, 22:05 | Сообщение # 3
Модератор
Группа: Модераторы
Сообщений: 29272
Статус: Оффлайн
ОЗУ Kingston HyperX Fury DDR4 и Predator DDR4

 
Ermolay13Дата: Понедельник, 06.07.2015, 22:40 | Сообщение # 4
Генералиссимус
Группа: Проверенные
Сообщений: 10646
Статус: Оффлайн
В этом году уже полным ходом идут продажи новых модулей памяти Ballistix Elite DDR4, которые нацелены на требовательных игроманов и компьютерных энтузиастов.

Новинки отличаются высочайшей производительностью. Пропускная способность составляет 21 Гбайт/с. Скорость достигает 2666 мегатранзакций в секунду.

 
dimotion96Дата: Среда, 03.02.2016, 02:09 | Сообщение # 5
Рядовой
Группа: Пользователи
Сообщений: 5
Статус: Оффлайн
Поставил себе такие- 2 пластинки по 4 гига. Работают вроде не плохо. По крайней мере Fallout 4 работать стал здорово)
 
бабичДата: Понедельник, 07.03.2016, 14:34 | Сообщение # 6
Рядовой
Группа: Пользователи
Сообщений: 7
Статус: Оффлайн
постоянно стартует этот сайт http://funday24.ru/?utm_source=startpm&utm_content=83d5920a52d67260f4213f8bddf9126c&utm_term=8AF8F97EFFCCCF70296901EF54C3704B&utm_d=none?EsetProtoscanCtx=2cb3c68 как его вытравить систама виндовс 8.1

http://s24.ucoz.net/a/_1/43.gif
 
BashmakДата: Понедельник, 07.03.2016, 16:23 | Сообщение # 7
Генералиссимус
Группа: Проверенные
Сообщений: 8171
Статус: Оффлайн
Цитата бабич ()
постоянно стартует этот сайт


А при чем тут тема с оперативкой? Вы поймали какую-то рекламную хрень. Автоматом загружаемые сайты (адреса могут быть разные) распространенная проблема. Проверьте свойства ярлыков, иногда там прописывается в пути до файла урл сайта. Возможно в реестре нужно будет найти эту гадость. Поищите в поиске, ответ уже должен быть...
 
Fedor77Дата: Суббота, 01.04.2017, 14:47 | Сообщение # 8
Модератор
Группа: Модераторы
Сообщений: 29272
Статус: Оффлайн
Оперативная память DDR5 будет вдвое быстрее DDR4

Производительность любого компьютера не в последнюю очередь зависит от оперативной памяти, её типа и скорости работы. Топовым на сегодняшний день типом оперативной памяти является DDR4. От предыдущих поколений она отличается повышенными частотными характеристиками, увеличенной скоростью передачи данных и пониженным напряжением питания. Уже в скором времени на рынке должно появиться более продвинутое решение. Комитет инженерной стандартизации полупроводниковой продукции JEDEC, занимающийся установлением стандартов памяти, на этой неделе объявил, что разработка нового стандарта оперативной памяти DDR5 уже началась и она быстро продвигается.

Многие аналитики ожидали, что линейка DDR завершится на DDR4, но так как за последние годы дизайн компьютеров и серверов не сильно изменился, то производителям ничего не мешает выпустить DDR5 с улучшенными характеристиками.

Оперативная память типа DDR5 будет в два раза быстрее по сравнению с нынешней DDR4. Также она будет энергоэффективнее. Кроме этого, DDR5 имеет вдвое большую плотность, чем DDR4. Таким образом, модули памяти типа DDR5 получат вдвое большую ёмкость по сравнению с нынешними модулями DDR4.

Финальные спецификации стандарта DDR5 будут объявлены в 2018 году, а вот в компьютерах такая память начнёт появляться ближе к 2020 году. Первыми новую память получат сервера и игровые ПК, а уже потом она будет массово устанавливаться в ноутбуках, мобильных устройствах и компьютерах.

Представители JEDEC также объявили, что они разрабатывают спецификации для новой формы гибридной памяти под названием NVDIMM-P. NVDIMM - это форма постоянной памяти, которая объединяет энергонезависимую флэш-память и энергозависимую оперативную память в слот DIMM. Такой тип памяти предназначен для баз данных, где для обработки и кэширования используется сочетание флэш-памяти и DRAM.
 
Fedor77Дата: Понедельник, 29.05.2017, 20:28 | Сообщение # 9
Модератор
Группа: Модераторы
Сообщений: 29272
Статус: Оффлайн
Computex 2017: комплекты памяти HyperX Predator DDR4 с частотой до 4000 МГц

В рамках выставки Computex 2017 бренд HyperX, принадлежащий компании Kingston Technology, представил новые модули и комплекты памяти Predator DDR4 для игровых настольных компьютеров, а также для оверклокерских систем.

Семейство Predator DDR4 включает решения с частотой 2400, 2666, 3000, 3200, 3333 и 3600 МГц. Изделия топового уровня работают на частоте 4000 МГц.

Ёмкость отдельных модулей составляет 8 и 16 Гбайт. Кроме того, память предлагается в виде наборов из двух, четырёх и восьми модулей суммарным объёмом до 128 Гбайт.

Напряжение питания во всех случаях составляет 1,35 В, диапазон рабочих температур — от 0 до 85 градусов Цельсия. Габариты изделий с предустановленным радиатором — 133,35 × 42,2 мм.

Наиболее производительный комплект — HX440C19PB3K2/16 — содержит два модуля DDR4-4000 CL19 суммарной ёмкостью 16 Гбайт. Память поддерживает технологию XMP, благодаря чему облегчается конфигурирование на повышенных частотах.

Изделия HyperX Predator DDR4 совместимы с новейшими процессорами Intel и AMD. На все решения предоставляется пожизненная гарантия. Информации о цене на данный момент, к сожалению, нет.
 
Ilya3818Дата: Вторник, 04.02.2020, 17:35 | Сообщение # 10
Генералиссимус
Группа: Проверенные
Сообщений: 4423
Статус: Оффлайн
Samsung анонсировала сверхбыструю память HBM2E для видеокарт и суперкомпьютеров

Компания Samsung объявила о выпуске третьего поколения чипов памяти стандарта HBM2E. Модуль Flashbolt ёмкостью 16 ГБ, по заверению вендора, обеспечивает рекордную для отрасли скорость передачи данных и предназначен для суперкомпьютеров, систем искусственного интеллекта и устройств, связанных с обработкой графики.

По данным Samsung, память Flashbolt обеспечивает скорость передачи данных до 3,2 Гбит/с на контакт. Модули ёмкостью 16 ГБ, выполненные по 10-нм технологическому процессу, размещаются на буферном чипе. Новинка в 1,75 раза быстрее своей предшественницы, 20-нм памяти Aquabolt ёмкостью 8 ГБ, представленной в 2018 году. Разработанная компанией электросхема позволяет обмениваться данными со скоростью до 410 ГБ/с на чип. Максимальная скорость при тестировании составила 4,2 Гбит/с или 538 ГБ/с на стек — для сравнения, рекорд прошлого поколения составлял 307 ГБ/с.

Начало массового производства новых модулей планируется в первой половине текущего года. Компания также продолжит продажи чипов памяти второго поколения и намеревается продвигать дальнейший переход производителей на HBM-решения.
 
TV-lubitelДата: Вторник, 17.11.2020, 17:48 | Сообщение # 11
Генералиссимус
Группа: Проверенные
Сообщений: 5284
Статус: Оффлайн
NVIDIA выпустит системный блок с 320 ГБ видеопамяти

Компания NVIDIA представила фирменный десктоп с внушительными техническими характеристиками. Под «капотом» новинки, получившей название DGX Station A100 — 64-ядерный процессор AMD и сразу четыре «зелёных» графических ускорителя с внушительным суммарным объёмом видеопамяти. При этом системный блок не требует серверной стойки и питается от обычной розетки, но приобретать его для гейминга — всё же не лучшая затея.

Рабочая станция NVIDIA DGX Station A100 позиционируется как профессиональное устройство, разработанное для специалистов в области САПР, дизайнеров и сотрудников научной сферы. В корпусе фирменного ПК разместились 64-ядерный процессор AMD EPYC, 512 ГБ оперативной памяти и NVMe-накопитель ёмкостью 7,68 ТБ. Кроме того, конфигурация новинки предусматривает четыре графических ускорителя NVIDIA A100, объединённых при помощи интерфейса NVLink. Каждый из них оснащён 80 ГБ видеопамяти HBM2e и тензорными ядрами третьего поколения.

Как утверждает NVIDIA, новинка предлагает «производительность центра обработки данных без центра обработки данных» — компьютер просто подключается к розетке и не требует особой системы охлаждения, в отличие от ряда более громоздких решений для центров обработки данных.
●●

Благодаря поддержке технологии NVIDIA Multi-Instance GPU (MIG) ресурсы станции могут быть распределены между 28 пользователями. Стоимость новинки будет объявлена производителем позднее.

 
Fedor77Дата: Четверг, 07.01.2021, 13:11 | Сообщение # 12
Модератор
Группа: Модераторы
Сообщений: 29272
Статус: Оффлайн
ADATA рассказала об оперативной памяти стандарта DDR5

Компания ADATA Technology, известная как производитель компьютерных комплектующих, рассказала об активной подготовке к выпуску оперативной памяти следующего поколения DDR5. Новые модули обещают значительный прирост в скорости передачи данных и пропускной способности.

Ключевыми партнёрами ADATA в выпуске DDR5-памяти стали производители материнских плат MSI и Gigabyte. Все три бренда работают над тщательным тестированием и оптимизацией модулей на новейших платформах Intel, а также изучают возможности разгона памяти.

«Являясь долгосрочными партнёрами, Gigabyte и ADATA совместно тестируют новые модули памяти, чтобы обеспечить их максимальный разгонный потенциал на новейших платформах от Intel», — отметил представитель Gigabyte.

Новые модули памяти DDR5 от ADATA предложат выросшие скорости, объёмы и увеличенную пропускную способность на ядро процессора. Их частоты будут достигать 8400 МГц, а ёмкости модуля — доходить до 64 ГБ. Также новые модули DDR5 станут поддерживать коррекцию ошибок (ECC), а их энергопотребление уменьшится до 1,1 вольта.

Анонс новой памяти запланирован на 11 января и пройдёт в рамках выставки потребительской электроники CES 2021.
 
VirviglazДата: Вторник, 26.01.2021, 15:36 | Сообщение # 13
Генералиссимус
Группа: Проверенные
Сообщений: 6343
Статус: Оффлайн
Team Group разработала «ноутбучную» DDR5-память

Компания Team Group отчиталась о завершении разработки нового стандарта памяти DDR5 SO-DIMM, предназначенной для установки в ноутбуки. Примечательно, что именно Team Group станет первым производителем модулей оперативки DDR5, которые будут протестированы на проверочных стендах Intel и AMD.

По сообщению представителей Team Group, новые планки SO-DIMM DDR5 предлагают максимальную частоту на уровне 4800 МГц. Также для них характерна поддержка технологии коррекции ошибок ECC. Таким образом, характеристики мобильной памяти Team Group ничем не уступают вариантам U-DIMM, устанавливаемым в ПК.

Максимальный объём памяти в планке SO-DIMM DDR5 составляет 16 ГБ. Примечательно, что она работает на пониженном до 1,1 вольта напряжении, что свидетельствует об улучшенной энергоэффективности и, как следствие, потенциально увеличенном времени автономной работы ноутбуков.

Согласно инсайдерской информации, до конца 2021 года Intel и AMD представят новое поколение процессоров с поддержкой оперативной памяти DDR5.
 
Sla-vaДата: Пятница, 26.03.2021, 15:37 | Сообщение # 14
Генералиссимус
Группа: Проверенные
Сообщений: 4662
Статус: Оффлайн
Samsung представила модуль оперативки DDR5 на 512 ГБ

Samsung Electronics объявила о создании первого в мире модуля оперативной памяти DDR5 объёмом 512 ГБ, выполненного по технологии High-K Metal Gate (HKMG). Новая память более чем вдвое быстрее DDR4, потребляя при этом меньше энергии.

High-K Metal Gate (HKMG) представляет собой способ производства полупроводников с использованием диэлектриков, выполненных из материала, диэлектрическая проницаемость которого больше, чем у диоксида кремния. Эта технология с 2018 года используется для производства чипов GDDR6.

Благодаря использованию технологии межкремниевых соединений (TSV) память DDR5 от Samsung объединяет восемь слоёв микросхем DRAM ёмкостью 16 ГБ каждый, что обеспечивает максимальную ёмкость в 512 ГБ. По заверению компании, скорость передачи данных новой памяти достигает 7200 Мбит/с — вдвое больше в сравнении с DDR4. Кроме того, она потребляет на 13% меньше энергии.

Новая память ориентирована в первую очередь на суперкомпьютеры для решения задач, связанных с искусственным интеллектом, машинным обучением и анализом больших массивов данных. Сейчас Samsung тестирует новые модули вместе с разными клиентами.
 
  • Страница 1 из 1
  • 1
Поиск:

Рекламные материалы:
Главная Все файлы Ключи,таблицы каналов